首页「天鲸注册」首页心所往·光所至丨长光华芯三款高速光通信激光芯片重磅发布，助力AI算力高速互连！

　　摘要：CIOE 2026，长光华芯隆重举办以“心所往·光所至”为主题的高速光通信芯片新品发布会，正式推出BH结构70mW CW DFB激光芯片、400mW CW DFB高功率激光芯片、200G EML电吸收调制激光芯片三款新品，覆盖AI算力中心光互连中的硅光与传统EML两大技术路线T及下一代高速光模块提供关键光芯片支撑。

　　ICC讯AI算力需求持续攀升，光通信产业迎来新一轮技术升级与产业扩容。2026年深圳光博会首日，长光华芯在13C51展位隆重举办以“心所往·光所至”为主题的高速光通信芯片新品发布会。

　　本次发布会正式推出BH结构70mW CW DFB激光芯片、400mW CW DFB高功率激光芯片、200G EML电吸收调制激光芯片三款新品，覆盖AI算力中心光互连中的硅光与传统EML两大技术路线T及下一代高速光模块提供关键光芯片支撑。

　　随着大模型、Agent、多模态应用快速发展，AI应用对Token的消耗呈指数级增长，推理算力需求持续攀升，数据中心内部互连正加速向更高速率、更高带宽方向演进。

　　与之对应，光模块市场正在进入高速增长阶段。根据LightCounting数据，2025年全球光模块市场规模约268亿美元，同比增长约74%；预计2026年以太网光模块销售额将进一步增长。随着800G规模部署、1.6T逐步上量，光芯片作为高速光模块的核心器件，其性能、可靠性与供应能力的重要性进一步凸显。

　　在这一产业趋势下，CW激光器与EML芯片成为AI高速光互连中的关键光源器件。长光华芯此次三款新品集中亮相，正是对AI算力时代高速光通信需求的积极回应。

　　此次发布的三款新品，分别面向可插拔的硅光方案光模块、新兴的CPO/NPO方案光模块以及传统EML方案的可插拔光模块，为不同场景下的高速光互联提供芯片解决方案。

　　作为面向硅光集成平台优化的连续波光源，长光华芯BH结构70mW CW DFB芯片采用掩埋异质结（BH）结构，具备良好的载流子与光场限制能力，可实现更优的光束质量和边模抑制性能。

　　该产品工作温度覆盖0℃至80℃，典型输出功率达70mW，典型RIN达到-142dB/Hz，远场发散角典型值为18°×15°。凭借圆形光斑、高出光功率及高可靠性等特点，该产品可适配800G/1.6T硅光模块，为硅光方案光模块提供高性能光源芯片支持。

　　面向AI算力中心不断增长的光互连需求，长光华芯此次发布的400mW CW DFB高功率激光芯片进一步提升了单颗激光器的输出能力。

　　该产品在50℃工作条件下输出功率达到400mW，典型RIN达到-155dB/Hz，支持CPO/NPO等新兴应用场景。更高的单颗光功率意味着在部分高速光模块应用中，可以减少光源数量，进而帮助模块实现更高集成度、更低耦合成本以及更充足的功率预算，为高速光模块降本增效提供新的技术路径，同时低噪声和窄线宽特性使得该产品潜在支持高阶调制或微环调制器，是下一代CPO与硅光方案核心芯片。

　　在EML产品方面，长光华芯正式发布200G EML电吸收调制激光芯片。该产品采用差分设计，典型带宽达到60GHz，在50℃条件下测试带宽达到65GHz；测试结果显示，TDECQ达到1.5dB，消光比超过4.5dB。

　　随着AI算力集群持续扩大，1.6T光模块正逐步进入规模应用周期。200G EML作为高速光模块的核心光源器件，其技术突破和国产化供给能力，对于完善国内高速光通信产业链具有重要意义。

　　从新品走向规模化量产，不仅需要产品性能，更需要稳定的工艺平台、可靠性验证以及持续的交付能力。

　　长光华芯的核心优势之一在于IDM全流程工艺平台。公司已建成3英寸InP、6英寸GaAs产线，覆盖芯片设计、MOCVD外延、光刻、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合及系统集成等环节，实现从芯片设计到封装测试的全流程自主可控。

　　全流程IDM模式不仅有助于提升产品批次一致性与良率，也为新品快速迭代、产能爬坡及成本控制提供了坚实基础。

　　此次三款新品并非孤立的产品布局，而是长光华芯面向AI算力时代构建高速光通信产品矩阵的重要一步。

　　从应用端来看，CW DFB激光芯片可服务于硅光模块外置光源、CPO等新型光互连架构；200G EML则面向1.6T光模块主流应用周期。两条技术路线协同推进，使长光华芯能够覆盖AI算力中心光互连、GPU集群网络、数据中心及电信网络等多个应用场景。

　　面向AI算力驱动的新一轮产业变革，长光华芯将持续以技术创新为核心，以IDM制造能力为支撑，加速高速光通信芯片产品迭代与产业化落地，以更高性能、更高可靠性和更强供应能力，为AI算力基础设施建设提供关键光芯片支撑——心所往，光所至。

　　长光华芯成立于2012年，2022年4月登陆科创板（688048.SH），是国内领先的半导体激光芯片IDM企业。公司专注于高功率半导体激光芯片、高速光通信激光芯片、激光雷达与3D传感芯片，是全球少数几家实现EEL及VCSEL半导体激光芯片研发与量产的企业之一。公司已建成从芯片设计到系统集成的完整IDM工艺平台与量产线英寸三大量产线，覆盖EEL（边发射）与VCSEL（面发射）两大产品结构，以及GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（氮化镓）、SiC（碳化硅）、SiPho（硅光）五大材料体系。致力于成为全球主流光芯片供应商，推动光子技术赋能工业激光器、传感器、光通信、激光显示与照明、激光医美等产业。

　　文章标题:心所往·光所至丨长光华芯三款高速光通信激光芯片重磅发布，助力AI算力高速互连！

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